离子注入件4

名称：离子注入件

相对密度：≥99%

规格：来图定制生产。

产品描述：

离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术，其利用离子注入机实现半导体的掺杂，即使用钨丝作为阴极发射电子轰击含有特定的杂质元素的气体分子，产生电离的特定杂质原子经静电场加速后打到硅单晶圆片表面，并打入半导体内部，改变导电特性并最终形成晶体管结构。

由于在离子源转换为电浆离子时，会产生2000℃以上的工作温度，离子束喷发时，也会产生很大的离子动能，一般金属会很快烧熔，因此需要质量密度较大的惰性金属，以维持离子束喷发方向，并增加组件耐用度，钨钼是必选材料。由于钨钼材料高温化学性质稳定、热变形小和使用寿命长等优点，因此半导体行业离子注入机离子源件及耗件多采用钨、钼材料制造，这些器件包括发射电子阴极的屏蔽筒、发射面板、中心固定杆、起弧室内的丝极板等，我们统称为离子注入用钨零件和离子注入用钼零件。

离子注入用钨零件所用材料经过对传统钨钼材料工艺进行优化，包括细晶化、合金化处理，真空烧结和热等静压烧结致密化，二次晶粒细化控轧技术，普遍提高传统钨钼材料的寿命、耐高温及抗蠕变性能。

我公司生产的离子注入用钨零件晶粒度细化，相对密度≥99%，高温力学性能指标比普通钨材料明显提高，使用寿命也明显延长。